
Razmatrane su metode za merenje električnih, dielektričnih i prekidačkih parametara kod poluprovodnika.Analizirane su i prekidačke komponente na bazi aktivnih elemenata od halkogenidnih poluprovodnika. Teorijskimodeli su potvrđeni eksperimentalno i izračunati su relevantni strujno-naponski parametri. Rezultatiistraživanja primenljivi su prilikom projektovanja memorijskih komponenti baziranih na aktivnim elementimaod amorfnih poluprovodničkih materijala a i na osnovu njih mogu se poboljšati modeli izračunavanja ključnihparametara prekidačkih komponenti.